今天，英特尔正式公布了其10nm工艺制程技术，并全球首次展示了10nm晶圆，这将是未来Cannon Lake CPU 最基础的部分，并将在今年年底前正式投产10nm制程技术的处理器。
据英特尔方面介绍，这一代10nm FinFET拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，实现了业内最高的晶体管密度。英特尔的 10 nm 制程技术能够达到每平方毫米 1 亿晶体数，而台积电为 4800 万，三星为 5160 万。
同时，英特尔还给出了其10nm制程与台积电、三星的对比，英特尔的 10 nm 制程在鳍片的间距、栅极间距都低于台积电和三星，而且最小金属间距更是大幅领先竞争对手。
除此之外，相比之前的14nm制程，英特尔10nm制程在性能上做出了25%的提升，而整体功耗则降低了45%，也比于其他业内的10nm制程性能，仍然有着绝对的优势。
英特尔还宣布将进入中国代工市场，为移动和物联网设备的设计公司提供代工，寻找中国市场中巨大的机会。
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