在CES 2014上，中兴正式发布并展出了Grand S系列第二款机型——中兴Grand SII，该机同样是中兴所有系列当中的最新旗舰机型无论从硬件配置还是外观设计来看都与前作有了很大的改变。
在外观方面，中兴Grand SII LTE跟前代产品相比产生了非常巨大的变化，无论是外观质感、用料还是设计感都有着非常大的提升，这也更符合自身在旗舰机型上的定位。
值得一提的是，因为屏幕尺寸的提升的缘故该机的机身尺寸也有了一定的增加，中兴Grand SII LTE采用了一块5.5英寸的IPS屏幕，分辨率达到了1080P水准，并且采用了全贴合技术，在屏幕通透性上有着一定的提升，视觉效果非常不错，显示效果也非常清晰、细腻。
在细节方面方面，中兴Grand SII LTE屏幕上方中间有一个非常显眼的中兴英文logo，前置摄像头也较为明显，但是听筒还有光线+距离感应器处理比较隐蔽，配合屏幕下方在同样“隐蔽”的比较好的三枚触控式按键，熄屏时机身正面如黑水晶般质感。
中兴Grand SII LTE机身背面的设计也非常亮眼，在第一眼看上去时非常像是金属材质的背壳，不过摸上去会发现它并没有金属般冰冷但有金属拉丝效果的手感，灰色的配色也显得很大气。
在背面上方，是一枚1300万像素摄像头，周围有金属边框装饰，在摄像头上方有一个降噪麦克风，左边是一个扬声器，而右侧拥有一颗LED闪光灯。在背面中间的位置同样有一个中兴的英文logo。
中兴Grand SII LTE的边框同样给人以金属般的视觉效果与质感，而且在结构上该机的边框比前面板以及后盖稍有突出，在机身顶部是一个耳机插口，机身底部是麦克风和microUSB充电插口，机身的左侧非常的干净，电源键和音量键都被放在了机身右侧。
中兴Grand SII LTE采用了可更换的电池的设计，用户可以从机身背面右下角的凹槽处开启后盖，比较不同的是该机将SIM卡槽以及microSD卡槽放置在了电池仓的下方，而该机3100毫安时的电池则能为其提供非常良好的续航能力。
作为一款旗舰机型，中兴Grand SII LTE的硬件配置绝对不含糊，该机采用了高通骁龙801四核处理器，其具体型号为8974AB，主频达到了2.3GHz，集成了Adreno 330图形处理器，采用了2GB RAM+16GB ROM，整体配置非常强劲，接下来就让我们通过几款跑分软件来测试一下该机的实力如何。
中兴Grand SII LTE作为中兴新一代的旗舰机型，性能上绝对有着目前机型当中非常出色的表现，并且在外观方面给了我们不小的惊喜，在设计感以及视觉效果上有了巨大提升，并且配合全新UI让整机更加具有活力，让整机也显得更精致。
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作为今日头条青云计划、百家号百+计划获得者，2019百度数码年度作者、百家号科技领域最具人气作者、2019搜狗科技文化作者、2021百家号季度影响力创作者，曾荣获2013搜狐最佳行业媒体人、2015中国新媒体创业大赛北京赛季军、 2015年度光芒体验大奖、2015中国新媒体创业大赛总决赛季军、2018百度动态年度实力红人等诸多大奖。
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