三星制作的垂直NAND闪存改变了以往传统的2D面板架构，而采用具有更多呼吸空间的3D晶体构造。如此一来，该3D闪存在更高的密度下也保证了更高的可靠性和速度。
【电科技8月7日消息】近日有消息称，三星正大批生产首款3D垂直NAND闪存，也可称其为V-NAND。
三星制作的垂直NAND闪存改变了以往传统的2D面板架构，而采用具有更多呼吸空间的3D晶体构造。如此一来，该3D闪存在更高的密度下也保证了更高的可靠性和速度。三星称采用新技术的闪存比之前的老款可靠2到10倍，且数据写入速度是之前的两倍。最初版本的V-NAND芯片提供了16GB的容量。（完）
声明：本站原创文章文字版权归电科技所有，转载务必注明作者和出处；本站转载文章仅仅代表原作者观点，不代表电科技立场，图文版权归原作者所有。如有侵权，请联系我们删除。
分享到：
评论区（0）